Формирование адгезионного слоя титана для датчиков давления на эластичных сегнетоэлектриках

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Третий (бакалавриат)

Сидорова Светлана Владимировна (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

Работа посвящена повышению адгезии тонкопленочных электродов эластичных датчиков давления на основе BaTiO₃. Предложена технология формирования подслоя титана (10–20 нм) методом магнетронного распыления после ионной обработки поверхности аргоном с последующим осаждением слоя меди (500-700 нм). Технология обеспечивает химическую связь на интерфейсе «электрод–сегнетоэлектрик», снижает механические напряжения и риск отслоения. Показаны результаты полного факторного эксперимента, описывающего зависимость толщина тонкопленочного слоя титана от режимов магнетронного распыления.