Формирование комбинированного покрытия с наноразмерными частицами для элементов резистивной памяти

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Третий (бакалавриат)

Сидорова Светлана Владимировна (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

В статье рассматривается актуальность применения резистивного типа памяти. Приведен и описан принцип работы резистивной памяти, основывающийся на процессе обратимого переключения режимов с разными сопротивлениями. Выявлена проблема данного типа памяти – неконтролируемый рост филаментов, что приводит к нестабильности его параметров.Предложено в качестве функционального слоя внедрять композиционное покрытие с проводящими островковыми структурами в диэлектрической матрице. Проведен анализ методов формирования функционального слоя и выбран метод магнетронного распыления из комбинированной мишени.