Формирование маски из SiO2 для глубокого реактивного ионного травления микрофлюидных каналов в кремнии

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Третий (бакалавриат)

Рыжков Виталий Витальевич (Кандидат наук, МГТУ им. Н. Э. Баумана, НОЦ "Функциональные Микро Наносистемы" )

Представлены результаты отработки режимов плазмохимического травления SiO2 для формирования твёрдой маски в технологии микрофлюидных устройств. Экспериментально определены параметры процесса на смеси СHFЗ/Аг, обеспечивающие вертикальный профиль и точный перенос топологии на оксидный слой. Разработанная технология позволяет преодолеть ограничения фоторезиста и реализовать глубокое Bosch-травление кремния с высоким соотношением сторон.