Влияние технологических режимов на толщину буферного слоя в оптическом тонкопленочном модуляторе

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Третий (бакалавриат)

Сидорова Светлана Владимировна (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении)

В работе приведено обоснование актуальности применения тонкопленочного оптического модулятора. Проведен анализ материалов функционального и буферного слоев, методов их формирования в многослойную структуру. Обоснован выбор материала и способа формирования буферного слоя. Поставлен и проведен полный факторный эксперимент, в результате которого получено уравнение регрессии, показывающее зависимость толщины буферного слоя оксида кремния от режимов магнетронного распыления.