Емкостная память на сегнетоэлектрических островковых тонких пленках

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Третий (бакалавриат)

Сидорова Светлана Владимировна (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

В статье представлены результаты литературного обзора по энергонезависимым ячейкам памяти. Описан принцип работы энергонезависимой памяти, типа сегнетоэлектрическая оперативная память. Обоснована актуальность применения сегнетоэлектрических островковых структур BaTiO3 (BTO) при формировании энергонезависимой памяти. Указаны преимущества внедрения островковых тонких пленок BTO в энергонезависимую память. Рассмотрено оборудование для нанесения островкового слоя BTO на подложку кремния. Определен метод формирования островкового слоя BTO. Приведены расчеты проводимости наноостровков BTO.