Доклады и статьи конференции

← Назад | Перейти в архив

Карточка работы #4186

Название
Исследование дефектов и толщины слоёв GaAs методом фотолюминесценции
Год
2024
Организация
Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)
Секция
11 - Электронные технологии в машиностроении
Автор
Соболев Арсений Александрович
Курс обучения
Четвёртый (бакалавриат)
Научный руководитель
Каракулов Руслан Александрович (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э.Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")
Аннотация
Цель: исследовать дефекты слоёв GaAs методом фотолюминесценции и установить зависимость мощности свечения фотолюминесценции от толщины GaAs. В ходе работы был освещен и применён метод фотолюминесценции для исследования дефектов слоёв GaAs. Также были спланированы эксперименты для получения зависимости мощности свечения фотолюминесценции от толщины GaAs.
Тезисы
Дополнительные материалы
Библиографическая
ссылка
Соболев А. А. Исследование дефектов и толщины слоёв GaAs методом фотолюминесценции. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 22 – 26 апреля, 2024, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2024.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=4186 (дата обращения: 20.07.2024)
Если Вы обнаружили ошибку - пожалуйста, напишите нам
Сопредседатель оргкомитета конференции
Гладков Ю.А.