Исследование дефектов и толщины слоёв GaAs методом фотолюминесценции

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Соболев Арсений Александрович

Четвёртый (бакалавриат)

Каракулов Руслан Александрович (Кандидат наук, Доцент, МГТУ им. Н.Э.Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

Цель: исследовать дефекты слоёв GaAs методом фотолюминесценции и установить зависимость мощности свечения фотолюминесценции от толщины GaAs. В ходе работы был освещен и применён метод фотолюминесценции для исследования дефектов слоёв GaAs. Также были спланированы эксперименты для получения зависимости мощности свечения фотолюминесценции от толщины GaAs.

Соболев А. А. Исследование дефектов и толщины слоёв GaAs методом фотолюминесценции. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 22 – 26 апреля, 2024, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2024.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=4186 (дата обращения: 03.07.2024)