Технология теневого осаждения тонкопленочных структур субмикронных джозефсоновских переходов

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

11 - Электронные технологии в машиностроении

Четвёртый (бакалавриат)

Панфилов Юрий Васильевич (Доктор наук, Профессор, МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Электронные технологии в машиностроении")

В данной работе рассматривается технология теневого осаждения тонкопленочных структур субмикронных джозефсоновских переходов типа Al/AlOx/Al, на основе иностранных и русских источников информации. Сформирован маршрутно-технический процесс изготовления джозефсоновских переходов типа Al/AlOx/Al. Определены ключевые параметры процесса электронно-лучевого испарения, которые оказывают влияние на структуру и свойства переходов. Рассмотрена теория роста тонких пленок под углом к поверхности подложки в приложении к теневому осаждению джозефсоновских переходов.

Коршаков Н. Д., Москалев Д. О. Технология теневого осаждения тонкопленочных структур субмикронных джозефсоновских переходов. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 4 – 8 апреля, 2022, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2022.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=3478 (дата обращения: 09.05.2025)