Структура композиций PZT-LNO-SI для изделий микроэлектроники

Московский Государственный Технический Университет им. Н.Э.Баумана (МГТУ им. Н.Э.Баумана)

8 - Материаловедение в машиностроении

Четвёртый (бакалавриат)

Жигалина Ольга Михайловна (Доктор наук, Профессор, ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН; МГТУ им. Н.Э. Баумана, кафедра "Материаловедение")

Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии (РЭМ и ПЭМ) исследована структура слоев композиций PZT-LNO (PbZnTi3 и LaNiO3), которые используются в микроэлектронике. Образцы получены методом химического осаждения из растворов путём послойного нанесения LNO и PZT на Si-подложку с последующим кристаллизационным отжигом. Рассмотрены механизмы кристаллизации пленок и обнаружено, что структура пленки существенно зависит от времени кристаллизации: более длительная кристаллизация пленки изменяет морфологию зерен LNO от равноосной до столбчатой, что улучшает свойства исследуемой системы.

Туркина Д. И., Атанова А. В. Структура композиций PZT-LNO-SI для изделий микроэлектроники. [Электронный ресурс] // Всероссийская научно-техническая конференция «Студенческая научная весна: Машиностроительные технологии»: материалы конференции, 4 – 8 апреля, 2022, Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана. – М.: ООО «КванторФорм», 2022.– URL: studvesna.ru?go=articles&id=3382 (дата обращения: 09.07.2025)